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2SD315A在驱动大功率IGBT中的应用
来源:本站整理  作者:佚名  2009-06-29 11:03:24



引言

IGBT常用的驱动模块有TLP250,以及EXB841/840系列的驱动模块。但在燃料电池城市客车DC/DC变换器的研制过程中发现,由于车载DC/DC变换器常常工作在大功率或超大功率的状态中,而处在这种状态下的IGBT瞬时驱动电流大,要求可靠性要高,使得传统的驱动电路已经不能满足其使用要求,经过研究分析,选用瑞士CONCEPT公司生产的用于驱动和保护IGBT或功率MOSFET的专用集成驱动模块2SD315A作为大功率IGBT(800A/1200V)的驱动器件,该驱动器集成了智能驱动、自检、状态反馈、DC/DC电源及控制部分与功率部分完全隔离等功能于一体。经过车载90kW DC/DC变换器实际道路工况运行实验表明,效果良好。

 IGBT的驱动要求

IGBT的驱动要求与其静态和动态特性密切相关,即栅极的正偏压、负偏压和栅极电阻的大小,对IGBT的通态电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力、开关管C、E极问电压的变换率等都有不同程度的影响。其开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向栅极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT关断。根据这样的特性,针对它的驱动电路应该满足:

·IGBT是电压型驱动,具有2.5~5V的阈值电压,有一个容性输入阻抗,因此,IGBT对栅极电荷非常敏感,需要有一条低阻抗值的放电回路,即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。

·用内阻小的驱动源对栅极电容充放电,以保证栅极控制电压Vge有足够陡的前后沿,使IGBT的开关损耗尽量小。另外,IGBT开通后,栅极驱动源应能够提供足够的功率使IGBT
处于饱和状态,否则IGBT容易遭到损坏。

·当驱动电平+Vge增大时,IGBT通态压降和开关损耗均下降,但负载短路时的Ic增
大,IGBT能承受短路电流的时间减小,对其安全不利。

·在关断过程中,为尽快抽取PNP管的存储电荷,须施加一负偏Vge,但它受IGBT的G、
E间最大反向耐压限制。

·IGBT的栅极驱动电路应简单实用,最好自身带有对IGBT的保护功能,有较强的抗干
扰能力。

·由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合,故驱动电路与控制电路在电位上应严
格隔离。

 

2SD315A驱动模块

2SD315A模块能够驱动1200A/1200V的IGBT,DC的开关频率高于100kHz,可通过±15A的门极电流,实现0-100%的占空比调节。此外,具有完善的对于电源、电流的状态监测从而实现对于模块以及功率开关管的保护;该驱动模块分为接口单元、电气隔离、驱动单元等几个部分,每个驱动通道都把控制回路和主功率回路进行了电气隔离,如图1所示。

驱动模块的驱动能力及保护性能是人们较为关心的问题,以下是应用当中的几点体会:

·由于IGBT的栅极有很高的输入阻抗,因此在无栅极放电回路的情况下,其栅极易积累电荷,并且栅极氧化层很脆弱,仅能承受±20V的耐压,容易造成栅源极问的击穿,使IGBT损坏,在实际电路中采用了±15V的栅源偏压,从而提高了IGBT的短路耐量。

·为改善控制脉冲的前后沿陡度和防止振荡,减小IGBT集电极大的电压尖脉冲,根据该模块的使用手册合理选择栅极的串联电阻,既可获得良好的驱动脉冲,又控制了IGBT通断状态变化的过渡时间。

·用外接的电阻Rth来定义功率管导通时的管压降,当大于定义的最大管压降时,监测电路便输出故障报警信号,并关断功率管,从而保护了IGBT。

·当给驱动模块供电的电源电压过低时,则会影响驱动电路的可靠性,监控电路便向模块
内部发送故障信号,使整个模块处于封锁状态,保护了系统的安全。这里,模块的工作状态是由模块上的两路SO输出引脚的电平所表示,并经过逻辑关系接入到保护电路中实现状态检测。

 

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