首 页文档资料下载资料维修视频包年699元
请登录  |  免费注册
当前位置:精通维修下载 > 文档资料 > 家电技术 > 单元电路介绍 > 其它电路
SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
来源:本站整理  作者:佚名  2009-04-16 08:35:40



0 引言
   
GaN微波单片集成电路(MMIC)具有高工作电压、高输出功率、频带宽、损耗小、效率高、体积小、抗辐照等特点,具有诱人的应用前景,成为国内外许多研究机构的研究热点。德国R.Behtash等人制作出X波段GaN MMIC,工作电压30V,工作频率10 GHz时,输出功率为39 Bm(CW),增益大于10 dB;美国D.M.Fanning等人研制出Si衬底25 W X波段GaN HEMT功率放大器MMIC,放大器分两级:输入级栅宽2.5 mm,输出级栅宽11.4 mm,漏压为30 V时,在10 GHz频率下,脉冲工作方式输出功率为25W,增益为15 dB,功率附加效率为21%;漏极偏置电压为24V时,在8~12.5 GHz频段内连续波输出功率为20W,最大饱和漏电流密度为570 mA/mm。
    国内在此领域的研究时间相对较短,受模型、工艺、材料等因素的限制,研究相对较慢。2007年2月,国内研制出x波段GaN MMIC,报道脉冲输出功率大于10 W。
    本文使用国产6H-SiC衬底的外延材料自主研制了A1GaN/GaN HEMT,使用器件典型脉冲数据、S参数数据、微波功率数据建立器件的大信号模型,将器件的大信号模型内嵌到ADS软件系统,建立微带结构的GaN MMIC电路,在ADS环境中优化电路设计,测试结果显示当频率在9.1~10.1 GHz,带内连续波输出功率大于10 W,峰值达到11.04 W,带内增益大于12 dB,平坦度为土0.2 dB,ηPAE大于30%。本研究实现了GaNMMIC从衬底到电路的全部国产化。

1 AIGaN/GaN HEMT研制
    采用国产半绝缘6H-SiC衬底利用MOCVD外延GaN HEMT外延材料,采用离子注入工艺进行有源区隔离,源漏金属采用Ti/Al/Ni/Au系统,栅金属为Ni/Au,研制的单胞总栅宽为2.5 mm的AIGaN/GaN HEMT,工作电压达到40.5 V,X波段连续波输出功率达到20 W,线性增益大于10 dB,ηPAE大于40%,输出功率特性曲线如图1所示。

2 GaN MMIC设计与研制
2.1 AIGaN/GaN HFET大信号模型的建立

    精确的非线性器件模型是功率放大器单片设计的关键。目前有关AIGaN/GaN HEMT的建模技术并不成熟,无专业的商业软件用于建模。本文在借鉴GaAs功率器件建模的基础上采用改进的Materka模型,其基本结构如图2所示。利用分步提取参数的方法,对l mnl AIGaN/GaN HEMT进行非线性模型的建模,参数提取包括5步:(1)从脉冲栅电流测量数据中提取栅电流参数和内建势;(2)从改进的Cold FETS参数测量数据中提取寄生参数,包括源、漏、栅电阻和电感;(3)从脉冲漏源电流测量数据中提取漏源电流参数;(4)从工作偏置状态S参数测量数据中提取本征模型参数;(5)提取栅电容模型参数。建立的1 mm器件大信号模型参数,如图3所示,其中实线为测试数据,虚线为仿真数据。图3表明,模型仿真结果与测试结果吻合得较好,能真实地反映器件的特性。

[1] [2] [3]  下一页

关键词:

文章评论评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!

   评论摘要(共 0 条,得分 0 分,平均 0 分)

推荐阅读

图文阅读

热门阅读

Copyright © 2007-2017 down.gzweix.Com. All Rights Reserved .
页面执行时间:9,558.59400 毫秒