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图3是将一次谐波输出电压V1归一化后得到的仿真结果，图中标示的m1、m2、m3分别是归一化后的漏极输出各次谐波电压峰值。从图中可以看到，在3次谐波输出电压V3分别为0．111、0．196和0．328时，由漏极输出1次和3次谐波合成的电压Vd都<V1。
其中，当K=0．111时，Vd的峰值是0．889，和理论上的K=0．111时Vpk=0．889V1一致，而且波形最平坦；当K=0．328接近理论分析中的0．4时，Vd=0．987接近V1，波形同样趋向于方波。可以看出，所有的仿真结果和理论基本一致。
3 设计实例
采用Cree公司10 W的GaN HEMT CGH40010，Rogers公司的RT5870基板，基板材料Er=2．33，基板厚度为0．79 mm，基频1 GHz，工作偏置点选为Vds=28V，Vgs=-2．5V。
在此次设计中，改变传统的F类功率放大器只考虑输出谐波的控制，同时考虑输入谐波控制网络的设计。
