4 仿真与分析
    通过上面的分析，初步确定该电路各器件尺寸，在0．6μm CMOS工艺下采用HSpICe软件进行仿真可以得出，在3．3 V电源电压下对温度在-40～+85℃范围内进行直流扫描，基准电压曲线如图4所示。在25℃下，对电源电压在2．6～5．5 V的范围内进行直流扫描，基准电压曲线如图5所示。据此计算出的基准电压电源电压调整率、温度系数见表1。

    与国际上已有的和CMOS兼容的电压基准电路的主要指标进行比较，结果如表2所示。可以看出，本文设计的CMOS基准的温度漂移率TFC远远小于国际上已有的和CMOS兼容的电压基准电路。

5 结语
    本文所设计的基于CMOS工艺的基准电路结构较简单，既没有放大器，也没有BJT，适合于标准CMOS工艺生产。通过HSpice验证，其输出基准电压为1．22 V，在-40～+85℃内温度系数仅为30 ppm／℃。当电源电压为2．6～5．5 V时，电源电压调整率为1．996 mV／V，且温度漂移率TFC远远小于国际上已有的和CMOS兼容的电压基准电路，比较适合于标准CMOS工艺。

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