根据资料和实际经验，从以上几组实验中找出了一些实验效果比较好的参数，然后共得到8组优化参数，这8组实验做完之后，再用1：5的氢氟酸对制得薄膜进行腐蚀，实验具体参数如表3，实验结果如表4。

      

    图5～图8给出实验结果。采用平板式PECVD法制备氮化硅薄膜时，沉积条件对氮化硅薄膜特性的影响如下：

    (1)压强主要对折射率和腐蚀速率有影响：随着压强的升高(见图5)，折射率上升而腐蚀速率下降(见图6)。压强增大时，膜的均匀性下降(见图7)。
    (2)功率主要对膜厚和膜厚差有影响：随着功率的增大，膜厚增大而膜厚差下降(见图8)。
    (3)流量比主要对折射率、膜厚和膜厚差都有影响：随着流量比的升高，折射率下降而膜厚和膜厚差都是先升后降(见图8)。
    (4)温度对薄膜的各个参数影响都不大。温度上升，折射率增大(见图5)，腐蚀速度下降(见图6)。

4 结语
    经过实验分析，在温度为430℃，压强为2．1×10-1mbar，功率为3 200 W，流量比为3．07，制备的薄膜具有良好特性，是制作减反射膜的良好的方案。

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