NexFET 晶体管具有相似于最佳沟槽装置的体二极管反向恢复行为 (body diode reverse recovery behaviour)，它们的差异在于 NexFET 可运用硬式 PWM 驱动器，其中晶体管的关闭不仅相当灵敏，而且尾部电流相当小，因此可达到较短的先断后合延迟时间，而且能够将二极管传导时间及相关的二极管传导功率损耗降至最低。换句话说，使用 NexFET 开关时，缩短闸极驱动器阶段所需的延迟时间能够进一步提升转换器的效率。

图 5 显示 NexFET 解决方案与先进沟槽 FET 芯片组中 12V 同步降压转换器在功率损耗与切换频率的相互关系比较。总结而言，转换器的效率可维持在切换频率的 90% 以上 (功率损耗为 3W)，而使用 NexFET 装置可将切换频率从 500kHz 增加到 1MHz。驱动条件经过最佳化后，便能够将此频率实际增加到 1MHz 以上。

图 5. 高切换频率、支持 NexFET的转换器运作

摘要及展望

针对理想开关的需求，NexFET 技术可提供下列功能：
特定 RDS(on) 能够与最新沟槽 FET 媲美
更低的 CISS 及 CGD 可提升 FOM
大幅改善切换损耗及驱动器损耗
CGD 与 CISS 的比率近似于沟槽 FET，但是绝对 CGD 值相当小，而且通过米勒电容 (Miller capacitance) 将电荷回馈的总数降至最低，可提升击穿效应的抗扰度。
体二极管的 Qrr 相当近似，但是可以更加重NexFET 晶体管的切换，而且可以大幅缩短驱动器所导致的停滞时间 (dead time)。

只要将 NexFET 芯片组置入既有系统中，即可观测出转换器效率方面的独特优点。NexFET 技术能够使转换器以更高的切换频率进行运作，最终使滤波器组件的体积与成本降至最低。

References

For more information about NexFET, visit: www.ti.com/mosfet.

关于作者

Jacek Korec 博士拥有 30 多年的半导体行业经验，现任德州仪器功率级部门 (前身为 Ciclon Semiconductor) 资深电源科学家。进入 Ciclon 之前，Jacek 曾任 Silicon Semiconductor 工程副总裁，并且身兼 Vishay-Siliconix 装置设计总监与首席科学家的职务。担任此职务期间，Jacek 对于新款分立式 MOSFET 产品的开发及生产贡献良多。在其职业生涯的早期阶段，Jacek 在德国 Daimler-Benz 中央研究中心服务 10 年之久，负责管理电源半导体装置及 IC 部门。Jacek 曾独力及共同发表 60 多篇科学文章，并拥有 35 项以上的专利。

Shuming Xu 现任德州仪器功率级部门 (前身为 Ciclon Semiconductor) 主要技术策划师，负责领导功率级先进解决方案的开发。Shuming 为 Ciclon Semiconductor 的共同创办人，其间曾开发出非常高速的功率 MOSFET，以高效率提升功率密度。Shuming 拥有德国不来梅大学博士学位，并拥有 30 多项专利。