典型蜂窝电话附近的RF场强近似为60V/m(距离手机天线4cm处)，远离手机后场强降低。在距离手机10cm处，场强降至25V/m。因此在电波暗室内产生一个均匀的60V/m场强，以模拟DUT所处的RF环境(60V/m的辐射强度可以保证被测器件不至于发生电平钳位，避免测量误差)。所采用的射频信号是在800MHz至1GHz蜂窝电话频率范围内变化的RF正弦波，使用1kHz的音频频率进行调制，调制深度为100%。用217Hz频率调制时可以得到相似的结果，但1kHz是更常用的音频频率，为便于*估，这里选择了1kHz。通过电波暗室的接入端口为DUT提供电源，并通过接入端口连接电压表，读取dBV值(相对于1V的dB)。通过调整DUT在电波暗室内的位置，并使用场强检测仪可以精确校准RF场。



图3.使用图2测量装置得到的两个双运放的 RF噪声抑制测试结果

两个双运放(MAX4232和X)的测试结果如图3所示，测量值为输出的平均dBV。RF频率在800MHz至1GHz范围内变化时，在均匀的60V/m电场中，MAX4232的平均输出大约为-66dBV(500(V RMS相对于1V)；器件X的平均输出大约为(18dBV(125mV RMS相对于1V)。没有RF信号时，电压表的读数为-86dBV。

因此MAX4232输出的变化量只有-20dB(-86dBV 到(66dBV)，即RF干扰导致MAX4232输出从50(V RMS变化到500(V RMS，在RF干扰环境下，MAX4232的变化因子是10。因此可以推断出MAX4232具有出色的RF抑制能力(-66dBV)，不会产生明显的输出失真。而器件X的噪声抑制平均读数仅有-18dBV，这意味着在RF影响下输出变化为125mV RMS(相对于1V)。这个增加值很大，是正常值50(V RMS的2500倍。因此，器件X的RF噪声抑制能力很差(-18dBV)，当靠近手机或其它RF源时可能无法正常工作。显然，对于音频处理应用(如耳机放大器和话筒放大器)，MAX4232是一个更好的选择。

为了保证产品在RF环境下的工作质量，RF噪声抑制能力的测量是电路板和IC制造商必须考虑的步骤。RF电波暗室测量装置提供了一个既经济、灵活，又精确的RF抑制能力测量方法。

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