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国外集成电路命名方法

来源：本站整理作者：佚名 2006-06-26 15:50:28

国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法

缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）

器件型号举例说明

AM	29L509	P	C	B
AMD首标	器件编号	封装形式	温度范围	分类
	"L"：低功耗；	D：铜焊双列直插（多层陶瓷）；	C：商用温度，	没有标志的
	"S"：肖特基；	L：无引线芯片载体：	（0-70）℃或	为标准加工
	"LS"：低功耗肖特基；	P：塑料双列直插；	（0-75）℃；	产品，标有
	21：MOS存储器；	E：扁平封装（陶瓷扁平）；	M：军用温度，	"B"的为已
	25：中规范（MSI）；	X：管芯；	（-55-125）℃；	老化产品。
	26：计算机接口；	A：塑料球栅阵列；	H：商用，
	27：双极存储器或EPROM ；	B：塑料芯片载体	（0-110）℃；
	28：MOS存储器理；	C、D：密封双列；	I：工业用，
	29：双极微处理器；	E：薄的小引线封装；	（-40～85 ）℃；
	54/74：同25；	G：陶瓷针栅陈列；	N：工业用，
	60、61、66：模拟，双极；	Z、Y、U、K、H：塑料四面引线扁平；	（-25～85）℃；
	79：电信；	J：塑料芯片载体（PLCC）；	K：特殊军用，
	80：MOS微处理器；	L：陶瓷芯片载体（LCC）；	（-30～125）℃；
	81、82：MOS和双极处围电路；	V、M：薄的四面引线扁平；	L：限制军用，
	90：MOS；	P、R：塑料双列；	（-55-85）℃＜
	91：MOS RAM：	S：塑料小引线封装；	125℃。
	92：MOS；	W：晶片；也用别的厂家的符号：
	93：双极逻辑存储器	P：塑料双列；
	94：MOS；	NS、N：塑料双列；
	95：MOS外围电路；	JS、J：密封双列；
	1004：ECL存储器；	W：扁平；
	104：ECL存储器；	R：陶瓷芯片载体；
	PAL：可编程逻辑陈列；	A：陶瓷针栅陈列；
	98：EEPROM；	NG：塑料四面引线扁平；
	99：CMOS存储器。	Q、QS：陶瓷双列。

AD	644	A	S	H	/883B
ANA首标	器件	附加说明	温度范围	封装形式	筛选水平
AD：模拟器件	编号	A：第二代产品；	I、J、K、L、M：（0-70）℃；	D：陶瓷或金属气密双列封装（多层陶瓷）；	MIL-STD-
HA：混合A/D；		DI：介质隔离产品；	A、B、C：（-25-85）℃；	E：芯片载体；	883B级。
HD：混合D/A。		Z：工作在+12V的产品。（E：ECL）	S、T、U：（-55-125）℃。	F：陶瓷扁平；
				G：PGA封装（针栅阵列）；
				H：金属圆壳气密封装；
				M：金属壳双列密封计算机部件；
				N：塑料双列直插；
				Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；
				ChipS：单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。