图LT_01 (a)

例1 共射极放大电路如图LT_01a所示。设BJT为NPN型硅管，型号为2N3904（b=50）。电路参数为：R_c= 3.3 kW，R_e= 1.3 kW，R_b1= 33 kW，R_b2= 10 kW，R_L = 5.1 kW，C_b1 = C_b2 = 10 mF，C_e = 50 mF（R_e的旁路电容），V_CC = 12 V。试用PSPICE程序作如下的分析：（1）求Q点；（2）作温度特性分析，观察当温度在-30℃～+70℃范围内变化时，BJT的集电极电流I_C的变化范围。

（下载例题的PSPICE文件）

解：进入Schematics主窗口，绘出图LT_01a所示电路，并设置好参数。其中三极管的b=50要进入模型参数修改窗中（先选中三极管，再选择菜单中Edit|Model|Edit项，单击Instance Model(Text)可打开模型参数修改窗），将Bf的值改为50。

设置直流工作点分析(Bias Point Detail)，同时设置直流扫描分析(DC Sweep),对温度进行-30℃～+70℃的线性扫描。

（1）仿真后在输出文件中得到静态工作点：I_B= 33.1 mA，I_C = 1.4 mA，V_CE= 5.52 V

（2）在Probe窗口中得到I_C随温度变化的曲线如图LT_01b所示。由图中看出温度在-30℃～+70℃变化时，I_C由1.2724mA变到1.4864mA。

图LT_01 (b)

图LT_02 (a)

例2 电路如图LT_02a所示。设BJT的b =80，r_bb’ (r_b)= 100 W。试分析电压增益的幅频响应和相频响应，并求f_L和f_H。

（下载例题的PSPICE文件）

解：在模型参数修改窗中，将BJT的Bf值改为80，Rb的值改为100。设置交流分析(AC Sweep)，仿真得到如图LT_02b、c所示幅频响应和相频响应的波特图。由图得到f_L = 167.592Hz，f_H = 4.55811 MHz。

（b）电压增益的幅频响应 （c）电压增益的相频响应 图LT_02

例3 电路如图LT_01a所示。设BJT的b=50，r_bb’ (r_b)= 100 W，V_BE = 0.7 V。试分析C_e在1mF到100mF之间变化时，下限频率f_L的变化范围。

（下载例题的PSPICE文件）

解：在模型参数修改窗中，将BJT的Bf值改为50，Rb的值改为100，Vje的值改为0.7。设置交流分析(AC Sweep)和参数分析(Parametric)。在参数分析中设置C_e取列表值1mF、5mF、10mF、20mF、50mF、80mF和100mF，仿真后，得到图LT_03所示的电压增益的幅频响应。由图中看出，C_e在1mF到100mF之间变化时，下限频率f_L从8.4073kHz下降到104.433Hz。C_e越大，下限频率越低。

图LT_03 电压增益的幅频响应

练习

1. 电路和参数如图LT_01a所示，试运用PSPICE分析：

（1）当输入正弦电压信号 的频率为1kHz、幅值为10mV时，求输入与输出电压的瞬态波形；

（2）求电压增益的幅频响应和相频响应；

（3）求电路输入电阻R_i和输出电阻R_o的频率响应，确定通带内R_i和R_o的阻值，并与手算结果进行比较。

2. 电路如图LX_02所示。设BJT的b = 210，负载电容C_L = 4pF直接接到BJT的集电极。试运用PSPICE分析：

（1）当输入电压信号v_i为一正负对称的方波，且周期为100ms，峰—峰值为10mV，求v_o的波形；

（2）当方波周期变为0.1ms时，再求v_o的波形。

图LX_02

3. 已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为

试求改电路的上、下限频率。中频电压增益的分贝数，输出电压与输入电压在中频区的相位差。（提示：首先以f = s / 2p j将表达式中的f代换成s，再选择LAPLACE（拉普拉斯）运算模型作交流扫描分析。）